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VCSEL晶圓，850 nm VCSEL 外延結構具有 4mW 的光功率、0.6 mA 的低閾值電流和適當?shù)墓庾V特性，適用于電信和光通信應用。

III-V族外延晶圓是MCT/InAs/InAsSb探測器的設計者和制造商，提供低溫制冷的紅外探測器、III-V族外延片，覆蓋1-16μm光譜范圍，同時提供探測器模塊、前置放大器、TEC溫控等組件和解決方案。提供VCSEL晶圓和InGaAs晶圓。